پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستور های MOSFET و تقویت کننده های ماسفت در 101 اسلاید - دانلود فایل

دانلود فایل ترانزیستور های MOSFET و تقویت کننده های ماسفت

دانلود فایل پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستور های MOSFET و تقویت کننده های ماسفت در 101 اسلاید

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO₂) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می توان بسیار ریزتر و ساده تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع های پیچیده و مقیاس های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه های الکترونیکی داشته باشند.همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن ها را آسان می کند، چندان که هم اکنون بیش تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن ها شکل می گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان تر است و مساحتِ کم تری هم می گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک قطبی هم می نامند.

فهرست مطالب:
مقدمه
نحوه عملکرد
ایجاد کانالی برای عبور جریان
ترانزیستور NMOS
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ Vds
اشباع ترانزیستور
بدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ
جریان در ناحیه تریود
جریان در ناحیه اشباع
تکنولوژی زیرمیکرونی
ترانزیستور PMOS
ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستور
عملکرد در ناحیه زیر آستانه
مشخصه Id-Vds
مقاومت کانال
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان
مقاومت خروجی
مدل ترانزیستور با در نظر گرفتن مقاومت خروجی
اثر بدنه
اثر حرارت
شکست و محافظت از ورودی
مدارات ماسفت در حالت DC
مثالها
استفاده از ترانزیستور ماسفت در مدارات تقویت کننده
مشخصه سیگنال بزرگ
انتخاب نقطه کار مناسب
روشهای مختلف بایاس کردن
مدار سیگنال کوچک
مقدار ترارسانایی
مدار معادل سیگنال کوچک
و...

ترانزیستور

تقویت کننده

CMOS

MOSFET

مقاله